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NTP5863N
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
4000
3500
3000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
V DS
QT
V GS
75
60
2500
6
Q gs
Q gd
45
2000
1500
4
30
1000
500
0
0
C rss
C oss
10
20
30
40
50
60
2
0
0
10
20
30
40
I D = 48 A
T J = 25 ° C
50
15
0
60
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 48 V
I D = 48 A
V GS = 10 V
100
80
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t r
60
10
t d(off)
t f
t d(on)
40
20
1
1
10
100
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
160
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
100 m s
1 ms
10 ms
dc
10 m s
140
120
I D = 56 A
100
10
V GS = 10 V
Single Pulse
80
60
1
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
40
20
0.1
0.1
Package Limit
1
10
100
0
25
50 75 100 125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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